2SA1576

2SA1576, 2SA1576ART1, 2SA1576ART1G, 2SA1576AT106Q, 2SA1576AT106R, 2SA1576AT106S

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SA1576ART12SA1576ART1G2SA1576AT106Q2SA1576AT106R2SA1576AT106S
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
ON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<150 мА<150 мА<150 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>180Ic, Vce = 2mA, 6V>180Ic, Vce = 2mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>180Ic, Vce = 1mA, 6V>270Ic, Vce = 1mA, 6V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
(не задано)(не задано)<140 МГц<140 МГц<140 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)