На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SA1162-GR(T5L,F,T) | 2SA1162GT1 | 2SA1162YT1 | 2SA1162-Y(T5L,F,T) | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | S-mini | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | S-mini |
Производитель | Производитель | Toshiba | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <150 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <150 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 2mA, 6V | >200Ic, Vce = 2mA, 6V | >120Ic, Vce = 2mA, 6V | >120Ic, Vce = 2mA, 6V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <80 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | (не задано) | <100 нА | <100 нА | (не задано) |