На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SA1160-B(TE6,F,M) | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Long Body), TO-226 |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <10 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <900 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 500mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 2A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <140 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP |