На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SA1145-O(TE6,F,M) | 2SA1145-O(TPE6,F) | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Long Body), TO-226 | |
Производитель | Производитель | Toshiba | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <150 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <800 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 10mA, 5V | |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 1mA, 10mA | <1 ВIb, Ic = 1mA, 1A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |