2PD601AQW,115

2PD601, 2PD601AQ,115, 2PD601AQW,115, 2PD601AR,115, 2PD601ARL,215, 2PD601ARL,235, 2PD601ART,215, 2PD601ART,235, 2PD601ARW,115, 2PD601AS,115, 2PD601ASL,215, 2PD601ASL,235, 2PD601ASW,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2PD601AQ,1152PD601AQW,1152PD601AR,1152PD601ARL,2152PD601ARL,2352PD601ART,2152PD601ART,2352PD601ARW,1152PD601AS,1152PD601ASL,2152PD601ASL,2352PD601ASW,115
Корпус микросхемы
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>160Ic, Vce = 2mA, 10V>160Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN