На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2PD1820AQ,115 | 2PD1820AR,115 | 2PD1820AS,115 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 | ||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >85Ic, Vce = 150mA, 10V | >120Ic, Vce = 150mA, 10V | >170Ic, Vce = 150mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 30mA, 300mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||