2PC4617QM,315

2PC4617, 2PC4617Q,115, 2PC4617QM,315, 2PC4617R,115, 2PC4617R,135, 2PC4617RM,315, 2PC4617S,115, 2PC4617SM,315

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2PC4617Q,1152PC4617QM,3152PC4617R,1152PC4617R,1352PC4617RM,3152PC4617S,1152PC4617SM,315
Корпус микросхемы
Корпус
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-101, SOT-883EMT3 (SOT-416, SC-75-3)EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-101, SOT-883EMT3 (SOT-416, SC-75-3)EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<150 мА<100 мА<150 мА<150 мА<100 мА<150 мА<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>180Ic, Vce = 1mA, 6V>180Ic, Vce = 1mA, 6V>180Ic, Vce = 1mA, 6V>270Ic, Vce = 1mA, 6V>270Ic, Vce = 1mA, 6V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN