На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2PB710AQ,115 | 2PB710AR,115 | 2PB710ARL,215 | 2PB710ARL,235 | 2PB710AS,115 | 2PB710ASL,215 | 2PB710ASL,235 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | ||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | ||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >85Ic, Vce = 150mA, 10V | >120Ic, Vce = 150mA, 10V | >120Ic, Vce = 150mA, 10V | >120Ic, Vce = 150mA, 10V | >170Ic, Vce = 150mA, 10V | >170Ic, Vce = 150mA, 10V | >170Ic, Vce = 150mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 30mA, 300mA | ||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <120 МГц | <120 МГц | <120 МГц | <140 МГц | <140 МГц | <140 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||