2PB709AQW,115

2PB709, 2PB709AQ,115, 2PB709AQW,115, 2PB709AR,115, 2PB709ARL,215, 2PB709ARL,235, 2PB709ART,215, 2PB709ART,235, 2PB709ARW,115, 2PB709AS,115, 2PB709ASL,215, 2PB709ASL,235, 2PB709ASW,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2PB709AQ,1152PB709AQW,1152PB709AR,1152PB709ARL,2152PB709ARL,2352PB709ART,2152PB709ART,2352PB709ARW,1152PB709AS,1152PB709ASL,2152PB709ASL,2352PB709ASW,115
Корпус микросхемы
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>160Ic, Vce = 2mA, 10V>160Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<60 МГц<60 МГц<70 МГц<70 МГц<70 МГц<70 МГц<70 МГц<70 МГц<80 МГц<80 МГц<80 МГц<80 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP