На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2PB1219AQ,115 | 2PB1219AQ,135 | 2PB1219AR,115 | 2PB1219AR,135 | 2PB1219AS,115 | 2PB1219AS,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 | |||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | |||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >85Ic, Vce = 150mA, 1V | >85Ic, Vce = 150mA, 1V | >120Ic, Vce = 150mA, 1V | >120Ic, Vce = 150mA, 1V | >170Ic, Vce = 150mA, 1V | >170Ic, Vce = 150mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 30mA, 300mA | |||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <100 МГц | <120 МГц | <120 МГц | <140 МГц | <140 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||