На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2PA1774Q,115 | 2PA1774QM,315 | 2PA1774R,115 | 2PA1774R,135 | 2PA1774RM,315 | 2PA1774S,115 | 2PA1774SM,315 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-101, SOT-883 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-101, SOT-883 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | SC-101, SOT-883 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <150 мА | ||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | ||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | >180Ic, Vce = 1mA, 6V | >180Ic, Vce = 1mA, 6V | >180Ic, Vce = 1mA, 6V | >270Ic, Vce = 1mA, 6V | >270Ic, Vce = 1mA, 6V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | ||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||