На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2PA1576Q,115 | 2PA1576Q,135 | 2PA1576R,115 | 2PA1576R,135 | 2PA1576S,115 | 2PA1576S,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 | |||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <150 мА | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | |||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | >180Ic, Vce = 1mA, 6V | >180Ic, Vce = 1mA, 6V | >270Ic, Vce = 1mA, 6V | >270Ic, Vce = 1mA, 6V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | |||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||