2N6517CBU

2N6517, 2N6517BU, 2N6517CBU, 2N6517CTA, 2N6517G, 2N6517RLRA, 2N6517RLRAG, 2N6517RLRP, 2N6517RLRPG, 2N6517TA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2N6517BU2N6517CBU2N6517CTA2N6517G2N6517RLRA2N6517RLRAG2N6517RLRP2N6517RLRPG2N6517TA
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<350 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<1.5 Вт<1.5 Вт<1.5 Вт<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 50mA, 10V>20Ic, Vce = 50mA, 10V>20Ic, Vce = 50mA, 10V>20Ic, Vce = 1mA, 10V>20Ic, Vce = 1mA, 10V>20Ic, Vce = 1mA, 10V>20Ic, Vce = 1mA, 10V>20Ic, Vce = 1mA, 10V>20Ic, Vce = 50mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN