2N6427_D27Z

2N6427, 2N6427_D26Z, 2N6427_D27Z, 2N6427_D75Z, 2N6427G, 2N6427RLRA, 2N6427RLRAG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2N6427_D26Z2N6427_D27Z2N6427_D75Z2N6427G2N6427RLRA2N6427RLRAG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1.2 А<1.2 А<1.2 А<500 мА<500 мА<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA<1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA<1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA<1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA<1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA<1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1 мкА