На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2N6426_D26Z | 2N6426_D74Z | 2N6426G | 2N6426RLRA | 2N6426RLRAG | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1.2 А | <1.2 А | <500 мА | <500 мА | <500 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | ||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 10mA, 5V | ||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | <1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | ||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1 мкА | ||||