2N6045G

2N6045, 2N6045G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2N6045G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<8 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<75 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>1000Ic, Vce = 3A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<2 ВIb, Ic = 12mA, 3A
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<20 мкА