На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2N5769 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <350 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 10mA, 350mV |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <400 мкА |