На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2N5655G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-225-3 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <250 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <20 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 100mA, 10mV |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <10 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 мкА |