2N5551_J18Z

2N5551, 2N5551,116, 2N5551,412, 2N5551BU, 2N5551CBU, 2N5551CTA, 2N5551CYTA, 2N5551DI, 2N5551G, 2N5551_J05Z, 2N5551_J18Z, 2N5551_J61Z, 2N5551RL1, 2N5551RL1G, 2N5551RLRA, 2N5551RLRAG, 2N5551RLRM, 2N5551RLRMG, 2N5551RLRP, 2N5551RLRPG, 2N5551TA, 2N5551TAR, 2N5551TF, 2N5551TFR, 2N5551YBU, 2N5551YTA, 2N5551ZL1, 2N5551ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		2N5551,116	2N5551,412	2N5551BU	2N5551CBU	2N5551CTA	2N5551CYTA	2N5551DI	2N5551G	2N5551_J05Z	2N5551_J18Z	2N5551_J61Z	2N5551RL1	2N5551RL1G	2N5551RLRA	2N5551RLRAG	2N5551RLRM	2N5551RLRMG	2N5551RLRP	2N5551RLRPG	2N5551TA	2N5551TAR	2N5551TF	2N5551TFR	2N5551YBU	2N5551YTA	2N5551ZL1	2N5551ZL1G
Корпус микросхемы	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель	Производитель	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<300 мА	<300 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<200 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<160 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<630 мВт	<630 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>80Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<150 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<150 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<300 МГц	<300 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<300 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN