На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2N5550BU | 2N5550_D26Z | 2N5550G | 2N5550_J24Z | 2N5550RLRA | 2N5550RLRAG | 2N5550RLRP | 2N5550RLRPG | 2N5550TA | 2N5550TAR | 2N5550TF | 2N5550TFR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <600 мА | |||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <140 В | |||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | |||||||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >60Ic, Vce = 10mA, 5V | |||||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | |||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | |||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||||