2N5088_D81Z

2N5088, 2N5088BU, 2N5088_D11Z, 2N5088_D81Z, 2N5088G, 2N5088_J61Z, 2N5088RLRA, 2N5088RLRAG, 2N5088TA, 2N5088TAR, 2N5088TF, 2N5088TFR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2N5088BU2N5088_D11Z2N5088_D81Z2N5088G2N5088_J61Z2N5088RLRA2N5088RLRAG2N5088TA2N5088TAR2N5088TF2N5088TFR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<100 мА<50 мА<100 мА<50 мА<50 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 100µA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN