2N4403_D29Z

2N4403, 2N4403-AP, 2N4403BU, 2N4403_D11Z, 2N4403_D29Z, 2N4403_D81Z, 2N4403DI, 2N4403G, 2N4403_J05Z, 2N4403_J18Z, 2N4403_J60Z, 2N4403NLBU, 2N4403RL, 2N4403RLG, 2N4403RLRA, 2N4403RLRAG, 2N4403RLRM, 2N4403RLRMG, 2N4403RLRP, 2N4403RLRPG, 2N4403_S00Z, 2N4403T93, 2N4403TA, 2N4403TAR, 2N4403TF, 2N4403TFR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		2N4403-AP	2N4403BU	2N4403_D11Z	2N4403_D29Z	2N4403_D81Z	2N4403DI	2N4403G	2N4403_J05Z	2N4403_J18Z	2N4403_J60Z	2N4403NLBU	2N4403RL	2N4403RLG	2N4403RLRA	2N4403RLRAG	2N4403RLRM	2N4403RLRMG	2N4403RLRP	2N4403RLRPG	2N4403_S00Z	2N4403T93	2N4403TA	2N4403TAR	2N4403TF	2N4403TFR
Корпус микросхемы	Корпус	TO-92	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель	Производитель	Micro Commercial Co	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Rohm Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<100 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<600 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 10mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<200 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP
Ток отсечки коллектора	I_frc	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	(не задано)	<100 нА	<100 нА	<100 нА	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)