2N4401_D81Z

2N4401, 2N4401,116, 2N4401-AP, 2N4401BU, 2N4401_D11Z, 2N4401_D81Z, 2N4401DI, 2N4401G, 2N4401_J05Z, 2N4401_J18Z, 2N4401_J25Z, 2N4401_J60Z, 2N4401_J61Z, 2N4401NLBU, 2N4401RLRA, 2N4401RLRAG, 2N4401RLRM, 2N4401RLRMG, 2N4401RLRPG, 2N4401_S00Z, 2N4401T93, 2N4401TA, 2N4401TAR, 2N4401TF, 2N4401TFR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		2N4401,116	2N4401-AP	2N4401BU	2N4401_D11Z	2N4401_D81Z	2N4401DI	2N4401G	2N4401_J05Z	2N4401_J18Z	2N4401_J25Z	2N4401_J60Z	2N4401_J61Z	2N4401NLBU	2N4401RLRA	2N4401RLRAG	2N4401RLRM	2N4401RLRMG	2N4401RLRPG	2N4401_S00Z	2N4401T93	2N4401TA	2N4401TAR	2N4401TF	2N4401TFR
Корпус микросхемы	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель	Производитель	NXP Semiconductors	Micro Commercial Co	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Rohm Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<600 мА	<500 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<630 мВт	<600 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>40Ic, Vce = 1mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<250 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)