2N3906_D27ZS00Z

2N3906, 2N3906,116, 2N3906-AP, 2N3906BU, 2N3906_D11Z, 2N3906_D27ZS00Z, 2N3906_D81Z, 2N3906DI, 2N3906G, 2N3906_J05Z, 2N3906_J18Z, 2N3906_J25Z, 2N3906_J61Z, 2N3906RL1G, 2N3906RLRA, 2N3906RLRAG, 2N3906RLRMG, 2N3906RLRPG, 2N3906T93, 2N3906TA, 2N3906TAR, 2N3906TF, 2N3906TFR, 2N3906ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2N3906,1162N3906-AP2N3906BU2N3906_D11Z2N3906_D27ZS00Z2N3906_D81Z2N3906DI2N3906G2N3906_J05Z2N3906_J18Z2N3906_J25Z2N3906_J61Z2N3906RL1G2N3906RLRA2N3906RLRAG2N3906RLRMG2N3906RLRPG2N3906T932N3906TA2N3906TAR2N3906TF2N3906TFR2N3906ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsMicro Commercial CoFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorDiodes IncON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<100 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт<600 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<500 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<250 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)<50 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<50 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<50 нА<50 нА<50 нА<50 нА<50 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<50 нА