2N3055

2N3055, 2N3055A, 2N3055AG, 2N3055G, 2N3055H, 2N3055HG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2N3055A2N3055AG2N3055G2N3055H2N3055HG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-204, TO-3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<15 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<115 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 4A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.1 ВIb, Ic = 400mA, 4A<3 ВIb, Ic = 3.3A, 10A<1.1 ВIb, Ic = 400mA, 4A<1.1 ВIb, Ic = 400mA, 4A<1.1 ВIb, Ic = 400mA, 4A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<6 МГц<6 МГц(не задано)(не задано)(не задано)
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<700 мкА