На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2N2102 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <65 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 150mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <550 мВIb, Ic = 150mA, 15mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |