2DC4617Q-7-F

2DC4617, 2DC4617Q-7, 2DC4617Q-7-F, 2DC4617QLP-7, 2DC4617R-7, 2DC4617R-7-F, 2DC4617S-7, 2DC4617S-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2DC4617Q-72DC4617Q-7-F2DC4617QLP-72DC4617R-72DC4617R-7-F2DC4617S-72DC4617S-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-523SOT-5233-DFNSOT-523SOT-523SOT-523SOT-523
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<150 мА<150 мА<100 мА<150 мА<150 мА<150 мА<150 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт<150 мВт<250 мВт<150 мВт<150 мВт<150 мВт<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>180Ic, Vce = 1mA, 6V>180Ic, Vce = 1mA, 6V>270Ic, Vce = 1mA, 6V>270Ic, Vce = 1mA, 6V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<180 МГц<180 МГц<100 МГц<180 МГц<180 МГц<180 МГц<180 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN