На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2DB1713-13 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-89-3 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <3 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <900 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >270Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 30mA, 1.5A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <180 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP |