На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2DB1132P-13 | 2DB1132Q-13 | 2DB1132R-13 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-89-3, TO-243-3 | ||
Производитель | Производитель | Diodes Inc | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <32 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >82Ic, Vce = 100mA, 3V | >120Ic, Vce = 100mA, 3V | >180Ic, Vce = 100mA, 3V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <190 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||