На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2DA1213O-13 | 2DA1213Y-13 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-89-3, TO-243-3 | |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >70Ic, Vce = 500mA, 2V | >120Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 1A | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <160 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |