На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PMBFJ111,215 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <300 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | <6 пФVds = 10V (VGS) |
Напряжение отсечки | U0 | 10 ВId = 1µA |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В |
Постоянный ток стока | IDSS | >20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <30 Ом |
Напряжение пробоя затвор-исток | VBRGSS | >40 В |