На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | J176,126 | J176_D26Z | J176_D27Z | J176_D74Z | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Мощность | P | <400 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | <8 пФVds = 10V (VGS) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Напряжение отсечки | U0 | 1 ВId = 10nA | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Постоянный ток стока | IDSS | >2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <250 Ом | |||
Напряжение пробоя затвор-исток | VBRGSS | >30 В | |||