J112_D11Z

J112, J112,126, J112_D11Z, J112_D26Z, J112_D27Z, J112_D74Z, J112G, J112RL1, J112RL1G, J112RLRA, J112RLRAG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрJ112,126J112_D11ZJ112_D26ZJ112_D27ZJ112_D74ZJ112GJ112RL1J112RL1GJ112RLRAJ112RLRAG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<400 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
<6 пФVds = 10V (VGS)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Напряжение отсечки
U0
1 ВId = 1µA
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<40 В(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Постоянный ток стока
IDSS
>5 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<50 Ом
Напряжение пробоя затвор-исток
VBRGSS
>40 В>35 В>35 В>35 В>35 В>35 В>35 В>35 В>35 В>35 В