На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | J109,126 | J109_D26Z | J109_D27Z | J109_D74Z | J109_D75Z | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||
Мощность | P | <400 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | <30 пФVds = 10V (VGS) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Напряжение отсечки | U0 | 2 ВId = 1µA | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Постоянный ток стока | IDSS | >80 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | >40 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | >40 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | >40 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | >40 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <12 Ом | ||||
Напряжение пробоя затвор-исток | VBRGSS | >25 В | ||||