На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2N5639_D26Z | 2N5639_D75Z | 2N5639G | 2N5639RLRAG | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Мощность | P | <350 мВт | <350 мВт | <310 мВт | <310 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | <10 пФVds = 12V (VGS) | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | >25 мАmin.: Vgs=0; Vds=20V | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <60 Ом | |||
Напряжение пробоя затвор-исток | VBRGSS | >30 В | >30 В | >35 В | >35 В |