На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Параметр | 2N6027G | 2N6027RL1 | 2N6027RL1G | 2N6027RLRA | 2N6027RLRAG | |
---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3, TO-226 | ||||
Производитель | Производитель | ONSemiconductor | ||||
Мощность | P | <300 мВт | ||||
Выходное напряжение | Uout | <11 В | ||||
Напряжение смещения | Vt | 1.6 В | ||||
Gate to Anode Leakage | Igao | 10 нА | ||||
Valley current | Iv | 50 мкА | ||||
Peak current | Ipeak | 2 мкА |