MMBZ5230

MMBZ5230, MMBZ5230B, MMBZ5230B-7, MMBZ5230B-7-F, MMBZ5230BLT1, MMBZ5230BLT1G, MMBZ5230BLT3G, MMBZ5230BT-7-F, MMBZ5230BW-7, MMBZ5230BW-7-F, MMBZ5230ELT1, MMBZ5230ELT1G, MMBZ5230ELT3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBZ5230BMMBZ5230B-7MMBZ5230B-7-FMMBZ5230BLT1MMBZ5230BLT1GMMBZ5230BLT3GMMBZ5230BT-7-FMMBZ5230BW-7MMBZ5230BW-7-FMMBZ5230ELT1MMBZ5230ELT1GMMBZ5230ELT3G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-523SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorDiodes IncDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorDiodes IncDiodes IncDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Прямое напряжение
UF
900 мВIf = 10mA
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<350 мВт<350 мВт<350 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<150 мВт<200 мВт<200 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт
Напряжение стабилизации
Ust
4.7 В
Дифференциальное сопротивление стабилитрона
Rst
19 Ом