На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | RMB2S-E3/45 | RMB2S-E3/80 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-269AA (MBS) | |
Производитель | Производитель | Vishay/General Semiconductor | |
Обратное напряжение | UR | <200 В | |
Прямой ток | IF | <500 мА | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Время восстановления | tREC | 150 нс | |
Технология диода | Технология | Single Phase | |
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | |