На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MB2M-E3/45 | MB2S | MB2S-E3/45 | MB2S-E3/80 | MB2S-TP | MB2S/1 | MB2S45 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 4-DIP (500 mil) | MBS-1, 4-SOIC | TO-269AA (MBS) | TO-269AA (MBS) | MBS-1, 4-SOIC | TO-269AA (MBS) | TO-269AA (MBS) |
Производитель | Производитель | Vishay/General Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Micro Commercial Co | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor |
Обратное напряжение | UR | <200 В | ||||||
Прямой ток | IF | <500 мА | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Технология диода | Технология | Single Phase | ||||||
Класс скорости диода | Скорость | Standard Recovery >500ns | ||||||