B250C800DM-E3/45

B250C800, B250C800DM-E3/45, B250C800G-E4/51

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрB250C800DM-E3/45B250C800G-E4/51
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP (300 mil, 4 Leads), DFMWOG
Производитель
Производитель
Vishay/General Semiconductor
Обратное напряжение
UR
<400 В
Прямой ток
IF
<900 мА
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Технология диода
Технология
Single Phase
Класс скорости диода
Скорость
Standard Recovery >500ns