B10S-G

B10, B10S-G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрB10S-G
Корпус микросхемы
Корпус
MBS-1, 4-SOIC
Производитель
Производитель
Comchip Technology
Обратное напряжение
UR
<1 кВ
Прямой ток
IF
<800 мА
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Технология диода
Технология
Single Phase
Класс скорости диода
Скорость
Standard Recovery >500ns