MMBD452LT1G

MMBD452, MMBD452LT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBD452LT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Обратное напряжение
UR
<30 В
Обратное импульсное напряжение
UR-i
Емкость диода
CD
1.5 пФ
Мощность
P
<225 мВт