MMBD353LT1

MMBD353, MMBD353LT1, MMBD353LT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBD353LT1MMBD353LT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Обратное напряжение
UR
<7 В
Обратное импульсное напряжение
UR-i
Емкость диода
CD
1 пФ
Мощность
P
<225 мВт