MMBD330T1G

MMBD330, MMBD330T1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBD330T1G
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Обратное напряжение
UR
<30 В
Прямой ток
IF
<200 мА
Обратное импульсное напряжение
UR-i
Емкость диода
CD
1.5 пФ
Технология диода
Технология
Schottky - Single
Мощность
P
<120 мВт