MBD330DWT1G

MBD330, MBD330DWT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMBD330DWT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Обратное напряжение
UR
<30 В
Обратное импульсное напряжение
UR-i
Емкость диода
CD
1.5 пФ
Технология диода
Технология
Schottky - 2 Independent
Мощность
P
<120 мВт