HSMS-282E

HSMS-282E, HSMS-282E-BLKG, HSMS-282E-TR1G, HSMS-282E-TR2G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHSMS-282E-BLKGHSMS-282E-TR1GHSMS-282E-TR2G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-323
Производитель
Производитель
Avago Technologies US Inc.
Обратное напряжение
UR
<15 В
Прямой ток
IF
<1 А
Обратное импульсное напряжение
UR-i
Емкость диода
CD
1 пФ
Технология диода
Технология
Schottky - 1 Pair Common Anode
Сопротивление
R
12 ОмIf, F = 5mA, 1MHz