HBAT-540B-TR1

HBAT-540B, HBAT-540B-BLKG, HBAT-540B-TR1, HBAT-540B-TR1G, HBAT-540B-TR2G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрHBAT-540B-BLKGHBAT-540B-TR1HBAT-540B-TR1GHBAT-540B-TR2G
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Avago Technologies US Inc.
Обратное напряжение
UR
<30 В
Прямой ток
IF
<430 мА
Обратное импульсное напряжение
UR-i
Емкость диода
CD
3 пФ
Технология диода
Технология
Schottky
Мощность
P
<825 мВт
Сопротивление
R
2.4 ОмIf, F = 100mA, 1MHz