На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | HBAT-5402-TR1 | HBAT-5402-TR1G | HBAT-5402-TR2G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Производитель | Производитель | Avago Technologies US Inc. | ||
Обратное напряжение | UR | <30 В | ||
Прямой ток | IF | <220 мА | ||
Обратное импульсное напряжение | UR-i | |||
Емкость диода | CD | 3 пФ | ||
Мощность | P | <250 мВт | ||
Сопротивление | R | 2.4 ОмIf, F = 100mA, 1MHz | ||