На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BAT18,215 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Обратное напряжение | UR | <35 В |
Прямой ток | IF | <100 мА |
Обратное импульсное напряжение | UR-i | |
Емкость диода | CD | 1 пФ |
Технология диода | Технология | Standard - Single |
Сопротивление | R | 700 мОмIf, F = 5mA, 200MHz |