BAP64

BAP64, BAP64-02,115, BAP64-03,115, BAP64-04,215, BAP64-04W,115, BAP64-05,215, BAP64-05W,115, BAP64-06,215, BAP64-06W,115, BAP64LX,315

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBAP64-02,115BAP64-03,115BAP64-04,215BAP64-04W,115BAP64-05,215BAP64-05W,115BAP64-06,215BAP64-06W,115BAP64LX,315
Корпус микросхемы
Корпус
SC-79, SOD-523SC-76, SOD-323, UMD2SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SOD-882
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Обратное напряжение
UR
<175 В<175 В<175 В<100 В<175 В<100 В<175 В<100 В<60 В
Прямой ток
IF
<100 мА
Обратное импульсное напряжение
UR-i
Емкость диода
CD
0.35 пФ0.35 пФ0.35 пФ0.35 пФ0.35 пФ0.35 пФ0.35 пФ0.35 пФ0.3 пФ
Технология диода
Технология
PIN - SinglePIN - Single(не задано)(не задано)PIN - 1 Pair Common CathodePIN - 1 Pair Common CathodePIN - 1 Pair Common AnodePIN - 1 Pair Common AnodePIN - Single
Мощность
P
<715 мВт<500 мВт<250 мВт<240 мВт<250 мВт<240 мВт<250 мВт<240 мВт<150 мВт
Сопротивление
R
1.35 ОмIf, F = 100mA, 100MHz1.35 ОмIf, F = 100mA, 100MHz1.35 ОмIf, F = 100mA, 100MHz1.35 ОмIf, F = 100mA, 100MHz1.35 ОмIf, F = 100mA, 100MHz1.35 ОмIf, F = 100mA, 100MHz1.35 ОмIf, F = 100mA, 100MHz1.35 ОмIf, F = 100mA, 100MHz1.5 ОмIf, F = 100mA, 100MHz